Tranzistori flexibili pentru următoarea generaţie de senzori

de | 14 Iun 2016 | Noutăţi, Tehnologie |

          Printr-o metodă numită dopaj selectiv, cercetătorii de la UW-Madison au introdus impurități în materiale, în locații precise, pentru a le îmbunătăți proprietățile – în acest caz, conductivitatea electrică. Dar, uneori, doparea se produce în zone ale materialului unde nu ar trebui, provocând ceea ce este cunoscut sub numele de efect de canal scurt. Cercetătorii au apelat la o abordare neconvențională: au dopat neselectiv siliciul lor monocristalin, în loc să-l dopeze selectiv. Apoi, au adăugat un material sensibil la lumină, sau un strat de fotorezist, şi au folosit tehnica numită litografiere cu fascicul de electroni – care utilizează un fascicul focalizat de electroni pentru a crea forme foarte subţiri, de 10 nanometri lăţime – pe fotorezist, obţinând o matriță foarte flexibilă reutilizabilă de modele nanometrice, cum au dorit. Ei au aplicat matriței ultrasubţiri o membrană foarte flexibilă de siliciu pentru a crea un model de fotorezist. Apoi au terminat cu un proces de corodare uscată – în esență, cu un cuțit nanoscalar – care a tăiat șanțuri precise la scară nanometrică în siliciu, conform modelelor din matriță, și au adăugat porți largi, care funcționează ca întrerupătoare, deasupra şanţurilor.

0 Comentarii

De unde pot cumpăra produsele importate de MED.CO?
Unde pot duce la reparat produsele OMRON?
Cum pot deveni distribuitor sau partener MED.CO?
© S.C. MED.CO S.R.L. 2016 TOATE DREPTURILE REZERVATE

Acest site foloseste cookies. Prin navigarea pe acest site, vă exprimaţi acordul asupra folosirii cookie-urilor. Mai multe informaţii.

Acest website foloseşte cookie-uri, atât cookie-uri proprii cât şi cookie-uri de la terţi pentru a furniza vizitatorilor o experienţă mult mai bună de navigare şi servicii adaptate nevoilor şi interesului fiecăruia.

Închide